把掩膜版上的圖形按照一定的比例縮小復制到涂布有光刻膠的晶圓上，分區(qū)域進行步進式曝光。本機臺可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圓高精度投影曝光，曝光精度可達500nm。
技術指標：
RESOLUTION：0.5μm
LENSDISTORTION：≤0.9μm
RETICLEALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm
STEPPINGACCURACY：≤0.08μm
OVERLAYACCURACY：≤0.15μm(X,Y)
OPEN FLAME(MAX.EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm
