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1、DFN8x8大電流測(cè)試座 封裝尺寸：DFN8封裝，間距0.95mm，尺寸8*8mm 測(cè)試支持：過(guò)800V/30A功率多脈沖測(cè)試；測(cè)試環(huán)境溫度-45~155℃； 產(chǎn)品特色：按照芯片實(shí)際功能需求設(shè)計(jì)，允許大電流高電壓高頻開(kāi)關(guān)脈沖測(cè)試，同時(shí)兼顧了高壓大電流的絕緣設(shè)計(jì)，保證測(cè)試過(guò)程中用戶的安全。 產(chǎn)品用途：DFN8x8 MOSFET IC 功能測(cè)試主要應(yīng)對(duì)高壓大電流 2、TO247-3L下壓老化座 封裝尺寸：TO247封裝/TO-3P封裝，間距5.44mm，尺寸41.1*15.6mm 測(cè)試支持：測(cè)試環(huán)境溫度-45~155℃；相對(duì)濕度RH 85%，測(cè)試時(shí)長(zhǎng)1000小時(shí) 產(chǎn)品特色：適用于自動(dòng)化上下料，批量老化板快速取放芯片，自動(dòng)化老化測(cè)試車間，批量推進(jìn)至老化爐老化艙內(nèi)，進(jìn)行智能老化測(cè)試。 產(chǎn)品用途：HAST/HTOL等老化測(cè)試、可靠性測(cè)試，自動(dòng)化設(shè)備匹配使用，手工測(cè)試亦可。 3、SMD4 16DUT in 1 翻蓋測(cè)試座 封裝尺寸：SMD4封裝，間距4.6mm/2.8mm，尺寸5.9*3.9mm 測(cè)試支持：測(cè)試環(huán)境溫度-45~155℃；相對(duì)濕度RH 85%，測(cè)試時(shí)長(zhǎng)1000小時(shí) 產(chǎn)品特色：適用于手動(dòng)快速大批量測(cè)試，單測(cè)試座同時(shí)測(cè)試16個(gè)芯片，單位DUT測(cè)試成本下降，規(guī)模效應(yīng)明顯 產(chǎn)品用途：常規(guī)SMD功率芯片的正常測(cè)試，HAST/HTOL等老化測(cè)試、可靠性測(cè)試，自動(dòng)化設(shè)備匹配使用，手工測(cè)試亦可。 4、DC/DC電源芯片測(cè)試座 BGA77pin封裝是近期一款較為特殊的電源芯片，DC/DC電源功能，共4通道輸出，每個(gè)通道持續(xù)性電流輸出為DC 4A，輸出峰值在5A。 其功能DC轉(zhuǎn)DC時(shí)候，將4V到14V的電壓轉(zhuǎn)換成為0.6V~5.5V電壓，釋放較高電流以及熱量，其功耗高達(dá)5.5W。 其芯片尺寸：9×15×5.01mm，間距：1.27mm。