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目前在“十四五”規(guī)劃的推動(dòng)下，半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域正在快速成長，其中，第三代半導(dǎo)體器件憑借較大的禁帶寬度、高導(dǎo)熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，備受企業(yè)和資本市場的熱捧。 據(jù)了解，國內(nèi)不少封測企業(yè)已開始啟動(dòng)并組建功率器件實(shí)驗(yàn)室及功率器件產(chǎn)線的工作，開始大力布局“三代半封測”領(lǐng)域。 TO-220/TO247系列的產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的摸底測試驗(yàn)證工作。TO-247-3L的性能達(dá)到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達(dá)到1200V、13A、160mΩ。 目前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。 SiC功率器件：具有小而輕便，反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強(qiáng)、雪崩耐壓高，擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。擁有4種封裝結(jié)構(gòu)（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。 GaN-DFN器件：具有更高的臨界電場、出色導(dǎo)通電阻、更低的電容等優(yōu)勢，使其尤適用于功率半導(dǎo)體器件，降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時(shí)，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率，可巨大化地提升充電器、開關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率，廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等。 功率模塊：第三代半導(dǎo)體功率模塊，采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高能散熱設(shè)計(jì)，具有優(yōu)越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢，其功率密度大，產(chǎn)品體型小，可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對空間的嚴(yán)格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進(jìn)行模塊化定制開發(fā)。 順應(yīng)半導(dǎo)體局勢變化，針對第三代半導(dǎo)體的老化測試方案，谷易電子相關(guān)TO系列高溫老化產(chǎn)品已全線上市。 1、TO系列高溫老化socket 該產(chǎn)品相較目前市場上的低端價(jià)格產(chǎn)品具有諸多優(yōu)勢，其中可配合自動(dòng)化設(shè)備，解放企業(yè)用工難的問題，再者，可耐溫高達(dá)200度，并且產(chǎn)品觸點(diǎn)為鍍金探針，可更換，老化座和老化板以螺絲的方形固定，避免了因?yàn)樽訐p壞而報(bào)廢老化板的風(fēng)險(xiǎn) 。同時(shí)該系列的老化座產(chǎn)品可過更大電流，更大功率,滿足企業(yè)各項(xiàng)嚴(yán)苛的試驗(yàn)環(huán)境。