產品介紹
磷化銦襯底晶片
磷化銦（InP）作為一種性能優異的半導體材料，可在大功率高溫度下工作，且性能穩定。主要應用于光纖通訊及微電子領域，包括光纖通訊、無線網絡、手機、藍牙通訊、衛星通訊微波領域，以及射頻集成電路等。可按客戶要求定制，具體參數可看圖或聯系客服。
產品簡介
性狀：瀝青光澤的深灰色晶體， 閃鋅礦結構。
熔點：1070℃。常溫下帶寬（Eg=1.35 eV）。熔點下離解壓為2.75MPa。
溶解性：極微溶于無機酸。
介電常數：10.8
電子遷移率：4600cm2/(V·s)
空穴遷移率：150cm2/(V·s)
制備：具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。
產品技術參數
單晶
InP 備注
外形尺寸 2" , 3", 4" 客戶要求
厚度 Dia2" X 500μm(單拋或雙拋)
Dia3" X 500μm(單拋)
Dia4" X 635μm（單拋）
晶向 100 客戶要求
摻雜 None；Sn；S；Fe：Zn
硬度 3.0莫氏硬度
密度 4.78 g/cm3
導電類型 N；N；N；Si；P
折射率 3.45
載流子濃度cm-3 1-2x1016 ，1-3x1018
1-4x1018 ，6-4x1018
位錯密度cm-2 小于5x104
生長方法 LEC
溫度 1072℃
彈性模量 7.1E11dyn Cm-2
