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5英寸IC級半導體硅片(Prime/Test grade) 用途： 同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體、半導體光刻 產品尺寸 125mm/5" 表面處理 SSP單面拋光、DSP雙面拋光、Lapping雙面研磨、SiO2/EPI/SOI等 (具體要求詳談) 生長方式：CZ直拉、FZ區熔 (具體要求詳談) 厚度：180-1000μm (具體要求詳談) 型號/摻雜類型 P /硼 、N/砷、磷、銻 (具體要求詳談) 包裝：25片/盒（真空包裝） 晶向： 111/100 (具體要求詳談) 電阻率：0.0001-10000(Ω·cm) (具體要求詳談)