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可控硅整流器簡介
可控硅整流器是一種常用的電力半導體電子器件，具有控制開關數(shù)千瓦乃至兆瓦級電功率的能力.從結構上說，它是 一種反向截止三極管型的閘流晶體管，由三個PN結(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極，典型大電流可控硅整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結二極管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范圍內(nèi)器件處于阻抗很高的關閉狀態(tài)(正向阻斷態(tài)，即伏安特性一象限中虛線下的實線部分).當正向瞬間電壓大于轉折電壓時，器件迅速轉變到低電壓大電流的通導狀態(tài).
可控硅標記符號、伏安特性及示意剖面圖
處于正向阻斷態(tài)的器件，如果給予控制極一低功率的觸發(fā)信號(使控制極-陰極PN結導通)，則器件可迅速被激發(fā)到導通狀態(tài)，之后毋須繼續(xù)保持觸發(fā)電流即可維持在通導狀態(tài)，此時若將電流降至維持電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷狀態(tài).
可控硅整流器：主電路采用三相橋或雙反星形帶平衡電抗器電路。可控硅元件采用大功率元件，節(jié)能顯 著。主控制系統(tǒng)采用大板高檻抗干擾、大規(guī)模集成控制板；模塊及集成元件全部采用進口，可靠性高。具有自動穩(wěn)壓、穩(wěn)流，穩(wěn)定精度優(yōu)于1%。具有0~60S軟起動，電鍍氧化著色時間可任意設定，自動定時。采用多相整流，減小輸出電壓紋波系數(shù)ru，特別適應于鍍硬鉻工藝，表面光潔度好，鍍層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風冷、自冷。
晶閘管全稱晶體閘流管，又稱可控硅:是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長以及體積小等諸多優(yōu)點，是弱電控制和被控強電之間的橋梁。從節(jié)能的觀點出發(fā)，電力電子技術被譽為新電氣技術。我國的能源利用率較低，按國民生產(chǎn)單產(chǎn)能耗計算，我國則是法國的 倍、日本的 倍，因此以晶閘管為核心的電氣控制裝置的普及使用是我國有效節(jié)約電能的一項重要措施。
可控硅整流器結構
通常用雙三極管來描述可控硅的四層結構，看成一NPN和PNP晶體管的互聯(lián). 若兩晶體管的共基極電流放大系數(shù)分別為α1和α2(均為工作狀態(tài)的函數(shù))，導通的必要條件是α1+α2?1.阻斷狀態(tài)下， 兩晶體管的電流放大系數(shù)均很小;若在正向阻斷狀態(tài)下，于控制極注入一正向電流，則NPN管的電流放大系數(shù)α1迅速增大，并導致α2的增大
