氧化鎵 用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。 用作高純分析試劑、半導體材料。 氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。 分子式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS NO. :12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。 用途：用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。 包裝：編織袋包裝25、50/公斤、1000公斤/噸包，紙板桶包裝25、50公斤/桶。 理化指標(%)： 分 析 結 果 Testing result     (%) 純度                                      99.995         Ga2O3 含量                                99.00 鐵              Fe2O3                     0.0007 硅              SiO2                       0.0002 鈦              TiO2                       0.0005 鈣              CaO                       0.0004 鋅              Zn                         0.0002 鉛              Pb                         0.0002 注：可根據用戶規格要求進行產品生產和包裝。 聯系我們 聯系人：孫經理 手機：17660162355