普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以晶準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級晶確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。     普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計能夠J大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。功率半導體行業(yè)測試設(shè)備認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； “雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢     高電壓、大電流     具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)     具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))     高精度測量     nA級漏電流,  μΩ級導通電阻     0.1%精度測量     模塊化配置     可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元     測試效率高     內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元     支持國標全指標的一鍵測試     擴展性好     支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具 測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降Vf I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等