聚焦未來(lái)半導(dǎo)體材料碳化硅的革命性進(jìn)展

時(shí)間：2017-11-23 14:37:37 來(lái)源： 點(diǎn)擊量：677

第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅、金剛石、氮化鎵等，相比第一代、第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料具備擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子微波射頻器件的核心，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。 碳化硅被半導(dǎo)體界公認(rèn)為是一種未來(lái)的材料，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料，促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅材料的負(fù)載量已經(jīng)達(dá)到極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無(wú)可突破的空間。 碳化硅屬于寬禁帶半導(dǎo)體，物理特性與硅有很大不同，碳化硅耐高溫，導(dǎo)熱率超過銅的導(dǎo)熱率，器件產(chǎn)生的熱量會(huì)快速傳遞，這無(wú)疑對(duì)器件的通流性能提高非常有利。碳化硅還有很強(qiáng)的耐輻射性，做成的器件可以在核反應(yīng)堆附近及太空中電子設(shè)備應(yīng)用。 因此，可以預(yù)見到不久的將來(lái)，碳化硅材料和器件工藝的完善，部分硅領(lǐng)域被碳化硅來(lái)替代是指日可待的。